功能介紹：

1. MEPC、MAFC控制系統(tǒng)，溫度、流量數(shù)字顯示；
2. 具有甘特圖 （Gantt-Chart）運(yùn)行和設(shè)置方式，可直觀觀察到分析過程的實(shí)時(shí)運(yùn)行狀態(tài)，取代了傳統(tǒng)的氣相色譜外部事件的填表式設(shè)置方式。
3. 六路溫度控制（柱溫、進(jìn)樣口1、進(jìn)樣口2、檢測(cè)器1、檢測(cè)器2、輔助加熱共六路）；
4. 具有斷氣、超溫報(bào)警保護(hù)功能；
5. 柱溫具有20階程序升溫；
6. 3個(gè)RS232通訊接口，可以連接數(shù)字型FID放大器、TCD恒流源或其他數(shù)字型檢測(cè)器板3個(gè)；
7. 后開門步進(jìn)電機(jī)程序控制接口，控溫精度高；
8. CAN通訊口1個(gè)（可連接電子控制氣路板或其它通訊）；
9. 內(nèi)置小型電腦，連接RS232口1個(gè)，可與帶串口的電腦直接連接；

10、可由U20色譜軟件接口，由電腦對(duì)色譜儀器反控并實(shí)施色譜數(shù)據(jù)傳送；

11、程序更新用USB接口1個(gè)；(可與電腦USB口直接連接，連接后主板即是電腦的U盤)；

12、電路板控制參數(shù)及程序更新TF卡槽1個(gè)，含TF卡1個(gè)；

13、外部事件輸出口8個(gè)（可控制電源為12V的多通閥或電源為12V的繼電器8個(gè)）；

14、外部事件輸入口4個(gè)（可接受如頂空進(jìn)樣、自動(dòng)進(jìn)樣器、熱解析等設(shè)備的就緒信號(hào)4個(gè)）；

15、彩色觸摸顯示屏接口1個(gè)（彩色觸摸顯示屏為儀器的各種參數(shù)的設(shè)置顯示終端）；

16、FID點(diǎn)火輸出信號(hào)輸出口1個(gè)，通過點(diǎn)火繼電器板擴(kuò)展可以控制2個(gè)FID點(diǎn)火；

17、FID自動(dòng)點(diǎn)火，具有因意外斷電、自動(dòng)熄火的氫氣保護(hù)功能；

18、FID放大板數(shù)字信號(hào)輸出，含4檔靈敏度切換，靈敏度切換控制信號(hào)由電腦或彩色觸摸屏設(shè)置；

19、TCD恒流源板恒流范圍0-300mA，帶5檔熱導(dǎo)數(shù)字信號(hào)放大（1、2、4、8、16倍放大）

20、主板含FID離子化負(fù)高壓口2個(gè)；

21、PID溫度校正功能

主要技術(shù)指標(biāo)：

※電子氣路控制：載氣，設(shè)定范圍0--300KPa，精度±0.01KPa

氫氣：設(shè)定范圍0--200ml/min,精度±0.05ml/min

空氣：設(shè)定范圍0--400ml/min,精度±0.1ml/min

※柱箱控溫范圍：室溫+5℃-450℃（以0.1℃為增量任設(shè)）。

※溫度精度：不大于±0.02℃。

  溫度梯度：±1℃（100℃-360℃程序升溫）。

 升溫速率：0.1℃-40℃/min（以0.1℃為增量任設(shè)）。普通型

            0.1℃-80℃/min（以0.1℃為增量任設(shè)）。高速型

※進(jìn)樣口、檢測(cè)器控溫范圍：室溫+5℃-450℃。

※電壓220V±10%，最大功率2200W。

 1. FID氫火焰離子化檢測(cè)器：

靈敏度：Mt≤5×10-¹²g/s；基線漂移：≤1×10-¹³A/30分，

噪聲：≤2×10-¹⁴A，線性范圍：≥10⁷

                      定性重復(fù)性：RSD≤1%， 定量重復(fù)性：≤3%

 2.TCD熱導(dǎo)池檢測(cè)器：靈敏度：S≥3500mv．ml/mg；基線漂移：≤100uv/30分，

噪聲：≤20uv，線性范圍：≥10⁴

 3.ECD電子捕獲檢測(cè)器: 靈敏度：Mt≤1×10-¹³g/s, 基線漂移：≤60uv/30分，

噪音：≤20uv，線性范圍：≥10⁴

 4.FPD火焰光度檢測(cè)器：Mt≤2×10^-12g/s（P）    Mt≤6×10^-11g/s（S），

基線漂移：≤5×10^-12A/30分，噪聲：≤3×10^-12A，

線性范圍：≥10³（P）          ≥10²（S）

 5.NPD氮磷檢測(cè)器：Mt≤8×10^-13g/s（P）        Mt≤1×10^-12g/s（N），

                 基線漂移：≤5×10^-12A/30分，噪聲：≤5×10^-10A，

                 線性范圍：≥10³（P）     ≥10³（N）

6.轉(zhuǎn)化爐溫度控制：

                  ※采用美國(guó)進(jìn)口鎳觸媒

室溫以上10℃～400℃（以1℃增量任意設(shè)置）

溫控精度：±0.1℃